Квадратная витрина из алюминиевого профиля с тумбой|Витрины алюминий
- Главная
- Витрины
- Витрины и прилавки из алюминиевого профиля.серия Старт
- Витрины с накопительной тумбой из алюминиевого профиля. серия Стандарт
- Квадратная витрина из алюминиевого профиля с тумбой.Стандарт В-1т
- Описание
- Цвета отделки
- Рекомендуемые товары
Цвета отделки
Рекомендуемые товары
- Квадратная витрина из алюминиевого профиля. Стандарт В-1 от 12 000
- Прямоугольная витрина из алюминиевого профиля. Стандарт В-4 от 15 000
- Угловая витрина из алюминиевого профиля. Стандарт В-10 от 19 000
-
Стандарт В-20 от 21 000
- Витрина восьмигранник из алюминиевого профиля. Стандарт В-14 от 18 000
- Витрина малая восьмигранная из алюминиевого профиля. Стандарт В-17 от 16 000
- Угловая витрина внешний угол из алюминиевого профиля. Стандарт В-12 от 14 000
- Витрина угловая из алюминиевого профиля. Стандарт В-21 от 12 500
- Квадратная витрина с внешним угловым модулем из алюминиевого профиля.Стандарт В-22 от 24 000
-
Прямоугольная витрина с внешним угловым модулем из алюминиевого профиля.
Стандарт В-23 от 29 000
- Квадратная витрина алюминиевый профиль со стеклянным верхом. Стандарт СВ-1 от 12 000
Товары раздела
- Витрина прямоугольник из алюминиевого профиля с тумбой.Стандарт В-4т от 16 000
- Витрина внешний угол с тумбой из алюминиевого профиля. Стандарт В-12т от 15 000
- Восьмигранная витрина из алюминиевого профиля с накопительной тумбой. Стандарт В-14 т от 19 000
-
Витрина восьмигранная алюминиевый профиль с накопительной тумбой.
Стандарт В-17т от 16 000
- Витрина восьмигранник с тумбой из алюминиевого профиля. Стандарт В-20т от 22 000
- Алюминиевая витрина внешний угол с тумбой. Стандарт В-21т от 13 500
- Квадратная витрина с внешним углом из алюминиевого профиля. Стандарт В-22т от 25 000
- Алюминиевая витрина со скошенным углом и тумбой из алюминиевого профиля. Стандарт В-23т от 30 000
- Торговая квадратная витрина с внешним углом из алюминиевого профиля. Стандарт В-25т от 33 000
-
Алюминиевая витрина на тумбе с полукруглым торцом.
Стандарт В-27т от 30 000
- Витрина на тумбе с полукруглым завершением из алюминиевого профиля. Стандарт В-28т от 34 000
- Полукруглая витрина из алюминиевого профиля. Стандарт В-29т от 39 000
- Витрина из алюминиевого профиля трапеция. Стандарт В-24т от 35 000
- Витрина из алюминиевого профиля трапеция с полукруглыми торцами . Стандарт В-30т от 40 000
«Компания Маркет-Дизайн» является одной из ведущих компаний по производству торгового оборудования с применением алюминиевого профиля. Витрины и прилавки при изготовлении которых используется профиль из алюминия выгодно отличаются своей прочностью и экономичностью и стильным дизайном.
Ecoplast Выключатель-кнопка 1-клавишный (схема 1Т) 10 A, 250 B, LK60 860501
Ecoplast Выключатель-кнопка 1-клавишный (схема 1Т) 10 A, 250 B, LK60 860501ГлавнаяРозетки и выключателиВыключателиEcoplast Выключатель-кнопка 1-клавишный (схема 1Т) 10 A, 250 B, LK60 860501
ВыключателиEcoplast 860501
{{:description}}
{{:price}}
{{:name}}
Достоинства
{{:advantages}}
Недостатки
{{:disadvantages}}
Комментарий
{{:comment_divided}}
{{:product_score_stars}} {{:useful_score}} {{:useless_score}}Ecoplast 860501
Выключатель-кнопка 1-кл. (схема 1Т) 10 A, 250 B (бежевый) LK60
Описание Ecoplast 860501
Выключатель-кнопка одноклавишный относится к серии LK60. Контакты выключателя выполнены из стойкого к коррозии сплава, рассчитаны на ток 16А и обеспечивают высокую пожаробезопасность. Подключение по схеме 1Т. Класс защиты соответствует IP20. Цвет – бежевый.
Технические характеристики Ecoplast 860501
- Ширина упаковки 10 см
- Высота упаковки 10 см
- Глубина упаковки 10 см org/PropertyValue»> Объемный вес 0.2 кг
- Единица измерения шт.
- Функция переключения однополюсный
- Кол-во клавиш 1
- Степень защиты IP IP20 org/PropertyValue»> Номинальный ток 10A
- Индикатор подсветки нет
- Сенсорный нет
- Влагозащищенный нет
- Монтаж накладной
- Цвет бежевый
- Ширина упаковки 10 см
- Высота упаковки 10 см
- Глубина упаковки 10 см
- Объемный вес
0.
- Единица измерения шт.
- Кратность поставки 1
- Функция переключения однополюсный
- Кол-во клавиш 1
- Степень защиты IP IP20
- Номинальный ток 10A
- Индикатор подсветки нет
- Сенсорный нет
- Влагозащищенный нет
- Монтаж накладной
- Цвет бежевый
Заказ в один клик
Мы позвоним Вам в ближайшее время
Несоответствие минимальной сумме заказ
Минимальная сумма заказа 1 500,00 ₽
Просьба увеличить заказ.
Гарантия производителя 1 год
Миссией организации экопласт является обеспечить качественные современные и доступные материалы большому количеству клиентов. Повсеместное применение подобного материала происходит при установке внутренней и открытой электропроводки. При вводе запроса в поисковую систему сайт экопласт, выдается больше 250 тысяч сылок на сайты с подобной информацией. Это свидетельствует о широком применении подобных материалов. Огромное количество специализированных магазинов предоставляют продукцию по электрооборудованию. Но сайт экопласт предоставляет более дешевые модели, не уступающие по качеству товару с прилавков магазинов. На это сказываются следующие моменты:
Срочная доставка день в день
Объемный вес: 0.2 кг
Габариты: 10x10x10
* только для города Москва
Самовывоз по РФ
Объемный вес: 0.2 кг
Габариты: 10x10x10
Выберите пункт самовывозаМосква, ул. веерная, дом 7 к.2, офис 2
Доставка курьером по РФ
Объемный вес: 0. 2 кг
Габариты: 10x10x10
По России:
Собственная служба доставки | 350 ₽ | 2-3 дней | |
Почта России | уточнять | 3-20 дней | |
ПЭК | уточнять | 2-7 дней | |
СДЭК | Экспресс лайт | уточнять | 2-7 дней |
СДЭК | Супер Экспресс | уточнять | 2-4 дней |
Деловые Линии | уточнять | 2-7 дней | |
Pony Express | уточнять | 2-7 дней | |
DPD | уточнять | 2-7 дней | |
DHL | уточнять | 2-7 дней | |
Boxberry | уточнять | 2-7 дней | |
ЖелДорЭкспедиция | уточнять | 3-10 дней | |
Байкал Сервис | уточнять | 2-10 дней | |
Энергия | 400,00 ₽ | 2-7 дней |
Ecoplast Выключатель-кнопка 1-клавишный (схема 1Т) 10 A, 250 B, LK60 860501
Артикул: 860501
Выключатель-кнопка 1-кл. (схема 1Т) 10 A, 250 B (бежевый) LK60
Объемный вес: 0.2 кг
Габариты: 10x10x10
В наличии
466,67 ₽ Скидка 40% 280,00 ₽ Цена за 1 шт.
От 20 шт:
280,00 ₽
266,00 ₽
От 40 шт:
266,00 ₽
252,00 ₽
Задать вопрос
Мы позвоним Вам в ближайшее время
Номер телефонаВопросЗаказ на обратный звонок
Мы позвоним Вам в ближайшее время
Номер телефонаВопросОбратный звонок
Мы позвоним Вам в ближайшее время
Номер телефонаВопросОт состояния Мотта к сверхпроводимости в 1T-TaS2
Беднорц, Дж. Г. и Мюллер, К. А. Возможная высокая сверхпроводимость T c в системе Ba–La–Cu–O. Zeitschrift für Physik B 64 , 189–193 (1986).
Артикул КАС Google Scholar
Ли, П. А., Нагаоса, Н. и Вен, X.-G. Легирование изолятора Мотта: Физика высокотемпературной сверхпроводимости. Ред. Мод. физ. 78 , 17–76 (2006).
Артикул КАС Google Scholar
Карлсон Э., Эмери В., Кивеслон С. и Оград Д. Физика обычных и нетрадиционных сверхпроводников (Springer, 2003).
Google Scholar
Габович А. М., Войтенко А. И., Аннетт Дж. Ф. и Ауслоос М. Сверхпроводники на волнах зарядовой и спиновой плотности. Суперконд. науч. Тех. 14 , Р1–Р27 (2001).
Артикул КАС Google Scholar
Grosche, F. M. et al. Сверхпроводимость на пороге магнетизма в CePd2Si2 и CeIn3. J. Phys. Конденс. Материя 13 , 2845–2860 (2001).
Артикул КАС Google Scholar
Такада, К. и др. Сверхпроводимость в двумерных слоях CoO2. Природа 422 , 53–55 (2003).
Артикул КАС Google Scholar
Моросан, Э. и др. Сверхпроводимость в Cu x TiSe2. Природа физ. 2 , 544–550 (2006).
Артикул КАС Google Scholar
Френд, Р. Х. и Йоффе, А. Д. Электронные свойства интеркаляционных комплексов дихалькогенидов переходных металлов. Доп. физ. 36 , 1–94 (1987).
Артикул КАС Google Scholar
Уилсон Дж. А., Ди Сальво Ф. Дж. и Махаджан С. Волны плотности заряда и сверхрешетки в металлических слоистых дихалькогенидах переходных металлов. Доп. физ. 24 , 117–201 (1975).
Артикул КАС Google Scholar
Томсон, Р. Э., Берк, Б., Зеттл, А. и Кларк, Дж. Сканирующая туннельная микроскопия структуры волны плотности заряда в 1T-TaS2. Физ. Ред. B 49 , 16899–16916 (1994).
Артикул КАС Google Scholar
Фазекас П. и Тосатти Э. Локализация носителей заряда в чистом и легированном 1T-TaS2. Physica B&C 99 , 183–187 (1980).
Артикул КАС Google Scholar
Фазекас П. и Тосатти Э. Электрические, структурные и магнитные свойства чистого и легированного 1T-TaS2. Фил. Маг. B 39 , 229–244 (1979).
Артикул КАС Google Scholar
Перфетти Л., Глор Т. А., Мила Ф., Бергер Х. и Гриони М. Неожиданная периодичность в квазидвумерном изоляторе Мотта 1T-TaS2, обнаруженная с помощью фотоэмиссии с угловым разрешением. Физ. Ред. B 71 , 153101 (2005 г.).
Артикул Google Scholar
Бурбонне, К. и Жром, Д. Достижения в области синтетических металлов (Elsevier, 1999).
Google Scholar
Рамирес А. C60 и его сверхпроводимость. Суперконд. Ред. 1 , 1–101 (1994).
КАС Google Scholar
Чжоу О. и др. Структурные и электронные свойства (Nh4)×K3C60. Физ. Версия Б 52 , 483–489 (1995).
Артикул КАС Google Scholar
Исигуро Т., Ямаджи К. и Сайто Г. Органические сверхпроводники (Springer, 1998).
Книга Google Scholar
Нам, М.-С. , Ардаван, А., Бланделл, С.Дж. и Шлютер, Дж.А. Флуктуирующая сверхпроводимость в органических молекулярных металлах вблизи перехода Мотта. Природа 449 , 584–587 (2007).
Артикул КАС Google Scholar
Росснагель, К. и Смит, Н.В. Спин-орбитальное взаимодействие в зонной структуре реконструированного 1T-TaS2. Физ. Ред. B 73 , 073106 (2006 г.).
Артикул Google Scholar
Цвик, Ф. и др. Спектральные последствия нарушения фазовой когерентности в 1T-TaS2. Физ. Преподобный Летт. 81 , 1058–1061 (1998).
Артикул КАС Google Scholar
Пилло, Т. и др. Взаимодействие между электрон-электронным взаимодействием и электрон-фононным взаимодействием вблизи поверхности Ферми 1T-TaS2. Физ. Ред. B 62 , 4277–4287 (2000).
Артикул КАС Google Scholar
Уилсон, Дж. А. Вопросы, касающиеся формы волны плотности заряда и сопутствующих периодических структурных искажений в 2H-TaSe2 и родственных материалах. Физ. Ред. B 17 , 3880–3898 (1978).
Артикул КАС Google Scholar
Bovet, M. et al. Межплоскостная связь в квазидвумерном 1T-TaS2. Физ. Ред. B 67 , 125105 (2003 г.).
Артикул Google Scholar
Ди Сальво, Ф. Дж., Уилсон, Дж. А., Бэгли, Б. Г. и Вашчак, Дж. В. Влияние легирования на волны плотности заряда в многослойных соединениях. Физ. B 12 , 2220–2235 (1975).
Артикул Google Scholar
Мутка, Х. , Зуппироли, Л., Молини, П. и Бургуан, Дж. К. Волны плотности заряда и локализация в облученном электронами 1T-TaS2. Физ. Ред. B 23 , 5030–5037 (1981).
Артикул КАС Google Scholar
Тани Т., Осада Т. и Танака С. Влияние давления на температуру перехода ВЗП в 1T-TaS2. Твердотельный коммун. 22 , 269–272 (1977).
Артикул КАС Google Scholar
Spijkerman, A., de Boer, J.L., Meetsma, A., Wiegers, G.A. & van Smaalen, S. Рентгеноструктурное уточнение кристаллической структуры почти соответствующей фазы 1T-TaS2 в (3+2) -мерное суперпространство. Физ. Ред. B 56 , 13757–13767 (1997).
Артикул КАС Google Scholar
Капоне М., Каприотти Л., Бекка Ф. и Капрара С. Переход металл-изолятор Мотта в полузаполненной модели Хаббарда на треугольной решетке. Физ. Ред. B 63 , 085104 (2001 г.).
Артикул Google Scholar
Макмиллан, В.Л. Теория несоизмеримости и фазовый переход волны плотности заряда соизмеримая-несоизмеримая. Физ. Ред. B 14 , 1496–1502 (1976).
Артикул КАС Google Scholar
Наканиши К. и Шиба Х. Теория трехмерного упорядочения волн плотности заряда в 1T-TaS2. J. Phys. соц. Япония. 53 , 1103–1113 (1984).
Артикул КАС Google Scholar
Бразовский С. Солитоны и их массивы: от квазиодномерных проводников к полоскам. Дж. Суперконд. Ноябрь Маг. 20 , 489–493 (2007).
Артикул КАС Google Scholar
Миранда Дж. и Кабанов В. Расстроенный фазовый переход Кулона первого рода и полосы. Physica C 468 , 358–361 (2008).
Артикул КАС Google Scholar
Кисс, Т. и др. Сверхпроводимость, зависящая от импульса, с максимизированным зарядовым порядком. Природа физ. 3 , 720–725 (2007).
Артикул КАС Google Scholar
Монктон, Д. Э., Экс, Дж. Д. и Ди Сальво, Ф. Дж. Исследование формирования сверхрешетки в 2H-NbSe2 и 2H-TaSe2 методом рассеяния нейтронов. Физ. Преподобный Летт. 34 , 734–737 (1975).
Артикул КАС Google Scholar
Сакс В., Родичев Д. и Клейн Дж. Зависимое от напряжения СТМ-изображение волны плотности заряда. Физ. Ред. B 57 , 13118–13131 (1998).
Артикул КАС Google Scholar
Baskaran, G. Из изолятора Мотта в высокотемпературный сверхпроводник c через давление: теория резонансной валентной связи и предсказание новых систем. Физ. Преподобный Летт. 90 , 197007 (2003 г.).
Артикул КАС Google Scholar
Мерино, Дж. и Маккензи, Р. Х. Сверхпроводимость, опосредованная флуктуациями заряда в слоистых молекулярных кристаллах. Физ. Преподобный Летт. 87 , 237002 (2001).
Артикул КАС Google Scholar
Жером, Д. Физика органических сверхпроводников. Наука 252 , 1509–1514 (1991).
Артикул Google Scholar
Клемм, Р. А. Поразительное сходство между явлением псевдощели в купратах и в слоистых органических и дихалькогенидных сверхпроводниках. Physica C 341–348 , 839–842 (2000).
Артикул Google Scholar
Маккензи, Р. Х. Сходства между органическими и купратными сверхпроводниками. Наука 278 , 820–821 (1997).
Артикул КАС Google Scholar
Эмери В. Дж. и Кивелсон С. А. Нарушенное электронное фазовое разделение и высокотемпературные сверхпроводники. Physica C 209 , 597–621 (1993).
Артикул КАС Google Scholar
Мюллер, К. А. и Бенедек, Г. (ред.) Разделение фаз в купратных сверхпроводниках (World Scientific, 1993).
Kivelson, S.A. et al. Как обнаружить флуктуирующие полосы в высокотемпературных сверхпроводниках. Ред. Мод. физ. 75 , 1201–1241 (2003 г.).
Артикул КАС Google Scholar
Kohsaka, Y. et al. Собственное электронное стекло с центром на связях и однонаправленными доменами в недостаточно легированных купратах. Наука 315 , 1380–1385 (2007).
Артикул КАС Google Scholar
Иса, Т. и др. Эффект Альтшулера–Аронова–Спивака в домене волны плотности заряда в монокристалле 1T-TaS2. Физ. Статус Solidi B 229 , 1111 (2002).
Артикул КАС Google Scholar
Наблюдение сверхпроводимости в нанолистах 1T′-MoS2
Чэньгуан Го, ‡ абв Джи Пан,‡ abc Хуэй Ли,‡ д Тяньцюань Лин, акр Кастрюля Лю, д Чаншэн Песня, и Донг Ван, и Банда Му, и Сяофан Лай, c Хуэй Чжан, e Вэй Чжоу, д Минвэй Чен* df и Фуцян Хуанг * ак Принадлежности автора* Соответствующие авторы
и Государственная ключевая лаборатория высокоэффективной керамики и сверхтонкой микроструктуры, Шанхайский институт керамики, Китайская академия наук, Шанхай, КНР
Электронная почта: huangfq@mail. sic.ac.cn
б Университет Китайской академии наук, Пекин 100049, Китай
в Государственная ключевая лаборатория химии и применения редкоземельных материалов, Колледж химии и молекулярной инженерии, Пекинский университет, Пекин 100871, Китай
д Государственная ключевая лаборатория композитов с металлической матрицей, Школа материаловедения и инженерии, Шанхайский университет Цзяо Тонг, Шанхай 200030, КНР
и Государственная ключевая лаборатория функциональных материалов для информатики, Шанхайский институт микросистем и информационных технологий, Китайская академия наук, Шанхай 200050, КНР
ф Передовой институт исследования материалов WPI, Университет Тохоку, Сендай 980-8577, Япония
Аннотация
rsc.org/schema/rscart38″> Исследования по получению и физическим свойствам фазово-чистого 1T’-MoS 2 все еще немногочисленны, хотя 1T’-фаза MX 2 (M = Mo и W; X = Se и Te) недавно Сообщалось, что это полуметалл Вейля, изолятор Холла с квантовым спином и сверхпроводник. Здесь мы сообщаем об идеальной однослойной структуре 1T’-MoS 2 , основанной на октаэдрах с общими ребрами. Чистый 1T’-MoS 2 нанолисты были успешно получены с использованием LiMoS 2 монокристаллы. Расположение зигзагообразных цепочек Mo-Mo в слое 1T’-MoS 2 эволюционировало из исходных алмазоподобных цепочек Mo-Mo в кристаллах LiMoS 2 после удаления всех ионов лития. Была обнаружена четко определенная структура решетки типа 1T’, которая была охарактеризована с помощью сканирующей просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния.